輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令 第六条

輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。 一 集積回路（モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回路、膜形集積回路（シリコンオンサファイア集積回路を含む。）、光集積回路、三次元集積回路及びモノリシックマイクロ波集積回路を含む。）であって、次のいずれかに該当するもの 二 マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの 三 弾性波若しくは音響光学効果を利用する信号処理装置であって、次のいずれかに該当するもの（特定の帯域通過、低域通過、高域通過、帯域阻止又は共振の機能のいずれかのみを有するものを除く。）又はその部分品 四 超電導材料を用いた装置のうち、超電導材料を用いた部品を有する電子素子又は電子回路であって、使用する超電導材料の臨界温度より低い温度で使用することができるように設計し、かつ、次のいずれかに該当するもの 五 セル（バッテリー（シングルセルバッテリーを含む。）に組み込まれているものを除く。）であって、次のいずれかに該当するもの 六 高電圧用のコンデンサであって、次のいずれかに該当するもの 七 一秒を要しないで磁界を完全に形成させ、又は消失させるように設計した超電導電磁石（ソレノイドコイル形のものを含む。）であって、次のイからハまでのすべてに該当するもの 七の二 太陽電池セル、セル連結保護ガラス集成品、太陽電池パネル又は太陽光アレーであって、宇宙用に設計したもののうち、エア・マス・ゼロで一、三六七ワット毎平方メートルの照射を受けたときの最小平均変換効率が、二八度の動作温度において二〇パーセントを超えるもの 八 回転入力型のアブソリュートエンコーダであって、角度の変換誤差の絶対値が一秒以下のもの及び当該エンコーダ用に設計されたリング、ディスク又はスケール 八の二 パルス出力の切換えを行うサイリスターデバイス又はサイリスターモジュールであって、電気的に若しくは光学的に制御された切換え方法又は電子の放射を制御された切換え方法を用いたもののうち、次のいずれかに該当するもの（民生用の鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。） 八の三 電力の制御又は電気信号の整流を行う半導体素子又は半導体モジュールであって、次のイからハまでのすべてに該当するもの（民生用の自動車、鉄道車両又は航空機に使用するように設計された装置に組み込まれたものを除く。） 八の四 アナログ信号用に設計した光の強度、振幅又は位相を操作する電気光学効果を利用する光変調器であって、次のいずれかに該当するもの（光入出力コネクタを有するものを含む。） 九 サンプリングオシロスコープであって、リアルタイムサンプリング手法を用いているもののうち、次のイ及びロに該当するもの 十 アナログデジタル変換器のうち、アナログデジタル変換を行う機能を有するモジュール、電子組立品又は装置（アナログデジタル変換カード、波形デジタイザー、データ収集カード、信号収集ボード及びトランジェントレコーダーを含む。）であって、次のイ及びロに該当するもの（デジタル方式の記録装置、サンプリングオシロスコープ、スペクトラムアナライザー、信号発生器、ネットワークアナライザー及びマイクロ波用試験受信機を除く。） 十の二 モジュール、電子組立品又は装置であって、一つ以上のユーザー構成可能なフィールドプログラマブルロジックデバイスを組み込んだ、ルックアップテーブル入力数の総計が一、八〇〇、〇〇〇以上であるもの 十一 デジタル方式の記録装置であって、次のイ及びロに該当するもの 十二 スペクトラムアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの 十三 信号発生器であって、次のいずれかに該当するもの（二以上の水晶発振器の周波数を加算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除く。） 十四 ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの 十五 マイクロ波用試験受信機であって、次のイ及びロに該当するもの 十六 原子周波数標準器であって、次のいずれかに該当するもの 十六の二 スプレー冷却方式の熱制御装置であって、密閉された装置の中で冷媒の循環利用ができるもののうち、電気部品に絶縁冷媒を吹き付けて部品の温度を一定の範囲に収めるために特に設計した噴霧ノズルを有するもの又はそのために特に設計した部分品 十六の三 極低温用の冷却装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの 十七 半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（ホ及びレにおいて「半導体製造装置」という。）若しくは試験装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品 十七の二 半導体素子、集積回路又は半導体物質の製造用の装置又は試験装置であって、次のいずれかに該当するもの 十七の三 集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル又はこれらの部分品若しくは附属品であって、次のいずれかに該当するもの 十七の四 マスクの製造に用いられる基材であって、モリブデン及びシリコンからなる多層膜の反射構造を有するマスクブランクのうち、次のイ及びロに該当するもの 十八 基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエピタキシャル材料となるもの（次号に該当するもの又はニに該当する化合物（窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニウムガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、リン化インジウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガリウムアルミニウムに限る。）のＰ型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該Ｐ型エピタキシャル層がＮ型層に挟まれていないものを除く。） 十八の二 基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の一層以上からなる膜の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、エピタキシャル材料となるもの 十九 レジストであって、次のいずれかに該当するもの又はそれを塗布した基板 二十 有機金属化合物又は有機化合物であって、次のいずれかに該当するもの 二十一 燐、砒素又はアンチモンの水素化物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの（二〇モルパーセント以上の不活性ガス又は水素を含んだものを除く。） 二十二 炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドの半導体基板又はインゴット、ブール若しくはその他のプリフォームであって、二〇度の温度における電気抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもの 二十三 多結晶基板又は多結晶セラミック基板であって、二〇度の温度における電気の抵抗率が一〇、〇〇〇オームセンチメートルを超えるもののうち、当該基板の表面にシリコン、炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドの非エピタキシャル単結晶層を少なくとも一層以上有するもの 二十四 前二号のいずれかに該当する基板であって、当該基板の上に炭化けい素、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム、三酸化二ガリウム又はダイヤモンドのエピタキシャル層を少なくとも一層以上有するもの（第十八号に該当するものを除く。） 二十五 シリコン又はゲルマニウムのふっ化物、水素化物又は塩化物であって、次のいずれかを含むもの 二十六 シリコン、シリコン酸化物、ゲルマニウム又はゲルマニウム酸化物であって、次のいずれかを含むもの又はこれらの基板若しくはインゴット、ブール又はその他のプリフォーム